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DMP22D4UFA
1.2
0.8
1.0
0.6
0.8
0.6
I D = -1mA
0.4
T A = 25°C
I D = -250μA
0.4
0.2
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE( ° C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE- DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diodes Forward Voltage vs. Current
50
f = 1MHz
1,000
T A = 150°C
40
T A = 125°C
30
20
10
C iss
C oss
100
10
T A = 85°C
T A = -25°C
0
0
2 4 6 8
C rss
10
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs.
Drain-Source Voltage
5
4
3
V DS = 10V, I D = -4.5A
2
1
0
0
2
4 6 8 10 12 14 16
18
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate Charge Characteristics
DMP22D4UFA
Document number: DS35766 Rev. 2 - 2
4 of 6
www.diodes.com
May 2012
? Diodes Incorporated
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